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[在线研讨会] 请教:MOS为什么会烧?

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本帖最后由 江潮涌雪 于 2019-7-21 14:18 编辑

请教各位,如图,小MOS控制大MOS通断的方式来决定电源是否开通,大MOS经常会损坏,可能会是什么原因?通流没有问题,不知道是不是设计上有缺陷?谢谢大家指点。

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blade55 2019-7-22 10:56 回复TA
四个mosfet每两个一组头对头,这样接对面? 
xch 2019-7-22 09:39 回复TA
@江潮涌雪 :开关速度太慢,热击穿,烧。开关速度太快,过压击穿也烧。 
江潮涌雪 2019-7-22 09:06 回复TA
@xch :可否请指点详情?谢谢 
xch 2019-7-22 07:56 回复TA
不烧才怪 

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沙发
| 2019-7-21 15:23 | 只看该作者
需要评估一下,电源电压是多少,负载电流多大,负载电容多大。负载电容充电的能量,是否大于开关管的单次冲击能量要求。

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板凳
| 2019-7-21 21:20 | 只看该作者
要么过压,要么过流,从这两个方向查吧。

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地板
| 2019-7-21 22:39 | 只看该作者
木叉头,MOS的GS用个电容解决,这个一般发生在上下电一瞬间休克

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5
| 2019-7-21 22:40 | 只看该作者
追加,俩MOS分开控制汇总

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6
| 2019-7-21 22:48 | 只看该作者
都已经有电流侦测了,再加个限流回路轻而易举。

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7
| 2019-7-21 22:53 | 只看该作者
R2304电阻太大了,mos没有完全导通线性区损耗大。
建议把电阻改为10R试一试。

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8
| 2019-7-22 08:23 | 只看该作者
由于米勒电容的存在,在G端为开通但是DS有电源的情况下导致Qg的电荷量很大,需要吸收电路才可以,你试试在GS之间加上10K电阻看看

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9
| 2019-7-22 10:05 | 只看该作者
电源电压是多少,什么情况下损坏?

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10
| 2019-7-22 10:59 | 只看该作者
2300的MOS管,封装是SOT23的吧,承受不了短时间大电流,换大一点封装的管子。

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11
 楼主 | 2019-7-22 15:32 | 只看该作者
12V的电压,不会超过5A,通流肯定够的。inrush峰值没仔细测过,有劳各位帮忙看下电路有什么general的硬伤没有

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12
| 2019-7-22 17:42 | 只看该作者
R2303短接试试,这个电阻太大,使MOS管打开过慢,从而使打开瞬间MOS内阻增大,功耗升高

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13
| 2019-7-22 23:07 | 只看该作者
可能是导通太快了,VGS加个电容,缓启动试下。

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14
 楼主 | 2019-7-23 09:22 | 只看该作者
wozaihuayu 发表于 2019-7-22 17:42
R2303短接试试,这个电阻太大,使MOS管打开过慢,从而使打开瞬间MOS内阻增大,功耗升高 ...

没这个位号,你指的是R2304?谢谢

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15
 楼主 | 2019-7-23 09:23 | 只看该作者
radical608 发表于 2019-7-22 23:07
可能是导通太快了,VGS加个电容,缓启动试下。

多谢,我们也在猜这个可能性

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16
 楼主 | 2019-7-23 09:24 | 只看该作者
lfc315 发表于 2019-7-22 10:59
2300的MOS管,封装是SOT23的吧,承受不了短时间大电流,换大一点封装的管子。 ...

在别的近似机种(和这个电压电流上电时序等情况类似)上一直没问题,就手头这个上面问题频发。

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17
 楼主 | 2019-7-23 09:26 | 只看该作者
wozaihuayu 发表于 2019-7-22 10:05
电源电压是多少,什么情况下损坏?

12V。看log是12V没过去,现场反馈换了管子就OK了。

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18
 楼主 | 2019-7-23 09:27 | 只看该作者
lane50 发表于 2019-7-21 22:53
R2304电阻太大了,mos没有完全导通线性区损耗大。
建议把电阻改为10R试一试。 ...

12V*(100/110),Vgs已经10V了,应该没问题啊,还是我误解了你意思?

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19
 楼主 | 2019-7-23 10:50 | 只看该作者
wozaihuayu 发表于 2019-7-22 10:05
电源电压是多少,什么情况下损坏?

12V。看log应该就是不通了,电过不去

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20
 楼主 | 2019-7-23 10:52 | 只看该作者
congfenglong 发表于 2019-7-22 08:23
由于米勒电容的存在,在G端为开通但是DS有电源的情况下导致Qg的电荷量很大,需要吸收电路才可以,你试试在G ...

已经100Kohm了啊

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